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薄膜沉積

1. 蒸鍍：AL/Au/Pt/Ti/Sn/Cr/Ta/Ag
2. 硅：多晶硅
3. 氧化硅：APCVD/PECVD/低應(yīng)力
4. 氮化硅：LPCVD/PECVD/低應(yīng)力
5. 合金
6. 退火

光刻

1. 涂膠：旋涂
2. 普通光阻：正膠/負(fù)膠
3. 特殊光阻：SU8/Polyide
4. 曝光：l-Line步近式，1X接近式/接觸式，單面/雙面曝光
5. 顯影

晶圓鍵合

1. 陽極鍵合：硅-玻璃
2. 硅硅鍵合：硅-硅，硅-氧化硅
3. 共晶鍵合：硅-金
4. 金屬熱壓：金-金

    

干法刻蝕

1. 深硅刻蝕
2. HF釋放
3. 單晶硅/多晶硅刻蝕
4. 氧化硅/氮化硅刻蝕
5. PI刻蝕
6. 光刻膠去除

濕法刻蝕

1. 晶圓清洗
2. SC1/SC2/SPM/DHF/兆聲/超聲
3. 單晶硅/多晶硅刻蝕
4. 氮化硅/氮化硅刻蝕
5. HF/BOE濕法釋放刻蝕
6. 甩干干燥/烘箱干燥/IPA干燥
7. 金屬刻蝕：AL/Au/Ti/Cr
8. 金屬剝離
9. 光刻膠去除

測量-形貌/尺寸

1. 3D形貌
2. 臺階高度測量
3. CD測量（OM/SEM）
4. 套刻精度測量
5. 薄膜厚度測量
6. 晶圓厚度測量
7. 曲率半徑測量
8. 紅外/光學(xué)顯微鏡

測量-電性/機(jī)械/其它

1. 探針臺
2. 電阻/電容測量
3. 應(yīng)力檢測
4. 顆粒檢測
5. 缺陷檢測
6. FTIR
7. SEM