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公司以6英寸體硅工藝為主，可實(shí)現(xiàn)多種工藝的加工服務(wù)：

光刻：接近式光刻（可雙面）和步進(jìn)光刻，最小線寬1um

薄膜制備：氧化、LPCVD、TEOS、PECVD

金屬制備：E-beam

濕法腐蝕：KOH、 BOE/HF等

干法刻蝕：RIE、DRIE（深寬比達(dá)到40）

鍵合：硅硅、硅-玻璃、金屬共晶、金屬熱壓等多種鍵合

結(jié)構(gòu)釋放：氣態(tài)HF刻蝕

減?。簷C(jī)械減薄、CMP