TSV工藝
1.深硅刻蝕，深寬比達25:1以上；
2.APCVD-SiO2，可進行深寬比25:1的深孔氧化；
3.LPCVD-poly，可填充深寬比25:1的深孔；
1.深硅刻蝕，深寬比達25:1以上；
2.APCVD-SiO2，可進行深寬比25:1的深孔氧化；
3.LPCVD-poly，可填充深寬比25:1的深孔；
1.深硅刻蝕，深寬比達25:1以上；
2.APCVD-SiO2，可進行深寬比25:1的深孔氧化；
3.LPCVD-poly，可填充深寬比25:1的深孔；
