6英寸體硅工藝為主，可實(shí)現(xiàn)多種工藝的加工服務(wù)
涂膠：旋涂
普通光阻：正膠/負(fù)膠
特殊光阻：SU8/Polyide
曝光：I-Line步進(jìn)式，1X接近式/接觸式，單面/雙面曝光
顯影
涂膠顯影機(jī)（SUSS)：Arm傳送方式，涂膠顯影盤邊緣吸附，一體化為MEMS結(jié)構(gòu)器件定制設(shè)備，有多種膠管支撐工藝選擇。
雙面曝光機(jī)(SUSS)：支持雙面曝光，正面曝光對(duì)準(zhǔn)精度1um，背面曝光對(duì)準(zhǔn)精度1.5um，支持最小CD尺寸2um工藝。
步進(jìn)光刻機(jī)(Ultatech Stepper)：
①核心光刻性能參數(shù)
光源波長(zhǎng)：365 nm（i-line紫外光源）
分辨率：0.5 µm（光刻膠厚度1µm條件下）
曝光均勻性：≤±1.5%
②對(duì)準(zhǔn)與精度系統(tǒng)
對(duì)準(zhǔn)精度≤ 120 nm
套刻精度≤ 110 nm
光刻機(jī)
步進(jìn)光刻機(jī)原理
光刻機(jī)實(shí)際操作圖
涂膠：旋涂
普通光阻：正膠/負(fù)膠
特殊光阻：SU8/Polyide
曝光：I-Line步進(jìn)式，1X接近式/接觸式，單面/雙面曝光
顯影
涂膠顯影機(jī)（SUSS)：Arm傳送方式，涂膠顯影盤邊緣吸附，一體化為MEMS結(jié)構(gòu)器件定制設(shè)備，有多種膠管支撐工藝選擇。
雙面曝光機(jī)(SUSS)：支持雙面曝光，正面曝光對(duì)準(zhǔn)精度1um，背面曝光對(duì)準(zhǔn)精度1.5um，支持最小CD尺寸2um工藝。
步進(jìn)光刻機(jī)(Ultatech Stepper)：
①核心光刻性能參數(shù)
光源波長(zhǎng)：365 nm（i-line紫外光源）
分辨率：0.5 µm（光刻膠厚度1µm條件下）
曝光均勻性：≤±1.5%
②對(duì)準(zhǔn)與精度系統(tǒng)
對(duì)準(zhǔn)精度≤ 120 nm
套刻精度≤ 110 nm
光刻機(jī)
步進(jìn)光刻機(jī)原理
光刻機(jī)實(shí)際操作圖
